|
পণ্যের বিবরণ:
|
| পাদান: | সিলিকোন | প্যাকেজ: | Do-41 |
|---|---|---|---|
| trr: | 50ns | সর্বাধিক সম্মুখ বিভবের: | 1.25V |
| সর্বোচ্চ।: | 1A | সর্বোচ্চ।: | 600V |
| লক্ষণীয় করা: | মুর160 ডায়োড 1 এ 400 ভি,এমআর 120 ডায়োড 1 এ 200 ভি,এমআর 160 ডায়োড 1 এ 600 ভি |
||
| সিম্বলস | মুর 105 | মুর 110 | মুর 120 | মুর 140 | মুর 160 | মুর 180 | মুর 1100 | ইউএনআইটিএস | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
সর্বোচ্চ পুনরাবৃত্তি পিক বিপরীত ভোল্টেজ | ভিআরআরএম | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | ভোল্টস |
সর্বাধিক আরএমএস ভোল্টেজ | ভিআরএমএস | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | ভোল্টস |
সর্বাধিক ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ | ভিডিসি | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | ভোল্টস |
সর্বাধিক গড় ফরোয়ার্ড সংশোধিত বর্তমান 0.375 "(9.5 মিমি) সীমিত দৈর্ঘ্য টিএ = 75 ℃ এ ℃ | আমি (এভি) | 1.0 | আম্পস | ||||||
পিক ফরোয়ার্ড স্রোতের বর্তমান 8.3ms রেটযুক্ত লোড (জেডিডেক পদ্ধতি) -র উপরে চাপ দেওয়া একক অর্ধ সাইন ওয়েভ | আইএফএসএম | 30 | আম্পস | ||||||
6.0A এ সর্বোচ্চ তাত্ক্ষণিক ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ voltage | ভিএফ | 0.95 | 1.25 | 1.65 | ভোল্টস | ||||
সর্বাধিক ডিসি বিপরীত বর্তমান টিএ = 25 ℃ রেসিডিতে ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ টিএ = 100 ℃ 10 এ রেট করা হয়েছে | আইআর | 5.0 50.0 | এ | ||||||
সর্বাধিক বিপরীত পুনরুদ্ধার সময় (দ্রষ্টব্য 1) | trr | 25 | 50 | 75 | এনএস | ||||
সাধারণ জংশন ক্যাপাসিটেন্স (দ্রষ্টব্য 2) | সিজে | 25.0 | পিএফ | ||||||
সাধারণ তাপ প্রতিরোধের (নোট 3) | রাজা | 50.0 | ℃ / ডাব্লু | ||||||
অপারেটিং জংশন এবং স্টোরেজ তাপমাত্রার ব্যাপ্তি | টিজে, টিএসটিজি | -55 থেকে +150 এ | ℃ | ||||||
পণ্য অঙ্কন
ব্যক্তি যোগাযোগ: Ms. Selena Chai
টেল: +86-13961191626
ফ্যাক্স: 86-519-85109398
