|
পণ্যের বিবরণ:
|
| VBO: | 28-36V | ভিবিও টাইপ: | 32V |
|---|---|---|---|
| প্যাকেজ: | এ-405 | আইবিও: | 100μA |
| আদর্শ: | ডিআইএসি | প্যাকেজের প্রকারভেদ: | গর্তের দিকে |
| পাদান: | সিলিকোন | ক্ষমতা: | 150 মিডব্লু |
| লক্ষণীয় করা: | db3bl ডায়োড 0.6 মিমি,একটি 405 বিবি Db3 ডায়োড 0.6 মিমি,db4bl ডায়োড |
||
|
পরিক্ষামুলক অবস্থা
|
সিম্বলস
|
মান
|
ইউএনআইটিএস
|
|||
| ন্যূনতম | টাইপ। | সর্বাধিক | ||||
|
ব্রেকওভার ভোল্টেজ
|
সি = 22 এনএফ
|
ভিবিও
|
28 | 32 | 36 |
ভোল্টস
|
|
ব্রেকওভার ভোল্টেজ প্রতিসম
|
সি = 22 এনএফ
|
আই + ভিবিওআই-আই-ভিবিওআই
|
-৩
|
ঘ |
ভোল্টস
|
|
|
গতিশীল ব্রেকওভার ভোল্টেজ
|
(নোট 1)
|
আইডিভি ± আই
|
৫ |
ভোল্টস
|
||
|
আউটপুট ভোল্টেজ
|
ডায়াগ্রাম 2
|
ভিও
|
৫ |
ভোল্টস
|
||
|
ব্রেকওভার কারেন্ট
|
সি = 22 এনএফ
|
আইবিও
|
100 |
এমএ
|
||
|
সময় বৃদ্ধি
|
ডায়াগ্রাম 3 |
tr
|
১.৫ |
মাইক্রোসফট
|
||
|
বিদ্যুৎ সল্পতা
|
ভিআর = 0.5VBO
|
আইবি
|
10 |
এমএ
|
||
|
মুদ্রিত সার্কিটের শক্তি অপচয়
|
টিএ = 65 সি
|
পিডি
|
150 |
মেগাওয়াট
|
||
|
রাষ্ট্রের বর্তমান পুনরাবৃত্তি শিখর
|
tp = 20ms
f = 100Hz
|
আইটিআরএম
|
ঘ | ক | ||
|
জংশন থেকে পরিবেষ্টনের তাপীয় প্রতিরোধগুলি
|
আরকিউজেএ
|
400 |
℃ / ডাব্লু
|
|||
|
নেতৃত্বে জংশন থেকে তাপীয় প্রতিরোধগুলি
|
আরকিউজেএল
|
150 | ℃ / ডাব্লু | |||
|
অপারেটিং জংশন এবং স্টোরেজ তাপমাত্রার ব্যাপ্তি
|
টিজে, টিএসটিজি
|
125 | ℃ | |||
ব্যক্তি যোগাযোগ: Ms. Selena Chai
টেল: +86-13961191626
ফ্যাক্স: 86-519-85109398
