|
পণ্যের বিবরণ:
|
| পাদান: | সিলিকোন | trr: | 200ns |
|---|---|---|---|
| প্যাকেজ: | Do-41 | সর্বোচ্চ।: | 600V |
| সর্বোচ্চ।: | 1A | সর্বাধিক সম্মুখ বিভবের: | 1.2V |
| লক্ষণীয় করা: | দ্রুত পুনরুদ্ধার রেকটিফায়ার ডায়োড 600 ভি,ডিও 41 দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োড ট্রার 200ns,1 এন 4935 ডায়োড |
||
পণ্য অঙ্কন
| সিম্বলস | 1 এন 4933 | 1 এন 4933 | 1 এন 4933 | 1 এন 4933 | 1 এন 4933 | ইউএনআইটিএস | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
সর্বোচ্চ পুনরাবৃত্তি পিক বিপরীত ভোল্টেজ | ভিআরআরএম | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | ভোল্টস |
সর্বাধিক আরএমএস ভোল্টেজ | ভিআরএমএস | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | ভোল্টস |
সর্বাধিক ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ | ভিডিসি | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | ভোল্টস |
সর্বাধিক গড় ফরোয়ার্ড সংশোধিত বর্তমান 0.375 "(9.5 মিমি) সীমিত দৈর্ঘ্য টিএ = 75 ℃ এ ℃ | আমি (এভি) | 1.0 | আম্পস | ||||
পিক ফরোয়ার্ড স্রোতের বর্তমান 8.3ms রেটযুক্ত লোড (জেডিডেক পদ্ধতি) -র উপরে চাপ দেওয়া একক অর্ধ সাইন ওয়েভ | আইএফএসএম | 30.0 | আম্পস | ||||
6.0A এ সর্বোচ্চ তাত্ক্ষণিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ | ভিএফ | ১.২ | ভোল্টস | ||||
সর্বাধিক ডিসি বিপরীত বর্তমান টিএ = 25 ℃ রেসিডিতে ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ টিএ = 100 ℃ 10 এ রেট করা হয়েছে | 5.0 50 |
এ | |||||
সর্বাধিক বিপরীত পুনরুদ্ধার সময় (দ্রষ্টব্য 1) | trr | 200 | এনএস | ||||
সাধারণ জংশন ক্যাপাসিটেন্স (দ্রষ্টব্য 2) | সিজে | 15.0 | পিএফ | ||||
সাধারণ তাপ প্রতিরোধের (নোট 3) | রাজা | 50.0 | ℃ / ডাব্লু | ||||
অপারেটিং জংশন এবং স্টোরেজ তাপমাত্রার ব্যাপ্তি | টিজে, টিএসটিজি | -65 থেকে +150 | ℃ | ||||
ব্যক্তি যোগাযোগ: Ms. Selena Chai
টেল: +86-13961191626
ফ্যাক্স: 86-519-85109398
