|
পণ্যের বিবরণ:
|
| পাদান: | সিলিকোন | trr: | 500ns |
|---|---|---|---|
| প্যাকেজ: | Do-15 | সর্বোচ্চ।: | 800V |
| সর্বোচ্চ।: | 2A | সর্বাধিক সম্মুখ বিভবের: | 1.3V |
| লক্ষণীয় করা: | 299 দ্বারা দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োড,দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োড 800 ভি,2 এ দ্রুত পুনরুদ্ধারের উচ্চ ভোল্টেজ ডায়োড |
||
পণ্য অঙ্কন
| সিম্বলস |
BY296
|
BY297
|
BY298
|
BY299
|
ইউএনআইটিএস | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
সর্বোচ্চ পুনরাবৃত্তি পিক বিপরীত ভোল্টেজ
|
ভিআরআরএম
|
100 | 200 | 400 | 800 |
ভোল্টস
|
|
সর্বাধিক আরএমএস ভোল্টেজ
|
ভিআরএমএস
|
70 | 140 | 280 | 560 |
ভোল্টস
|
|
সর্বাধিক ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ
|
ভিডিসি
|
100 | 200 | 400 | 800 |
ভোল্টস
|
|
সর্বাধিক গড় ফরোয়ার্ড সংশোধিত বর্তমান 0.375 "(9.5 মিমি) সীমিত দৈর্ঘ্য টিএ = 75 ℃ এ ℃
|
আমি (এভি)
|
২.০ |
আম্পস
|
|||
|
পিক ফরোয়ার্ড স্রোতের বর্তমান 8.3ms রেটযুক্ত লোড (জেডিডেক পদ্ধতি) -র উপরে চাপ দেওয়া একক অর্ধ সাইন ওয়েভ
|
আইএফএসএম
|
70.0 |
আম্পস
|
|||
|
2.0A এ সর্বোচ্চ তাত্ক্ষণিক ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ
|
ভিএফ
|
1.3 |
ভোল্টস
|
|||
|
সর্বাধিক ডিসি বিপরীত বর্তমান টিএ = 25 ℃
রেসিডিতে ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ টিএ = 100 ℃
|
আইআর
|
5.0 100.0 |
এ
|
|||
|
সর্বাধিক বিপরীত পুনরুদ্ধার সময় (দ্রষ্টব্য 1)
|
trr
|
500 | এনএস | |||
|
সাধারণ জংশন ক্যাপাসিটেন্স (দ্রষ্টব্য 2)
|
সিজে
|
40.0 | পিএফ | |||
|
সাধারণ তাপ প্রতিরোধের (নোট 3)
|
রাজা
|
40.0 | ℃ / ডাব্লু | |||
|
অপারেটিং জংশন এবং স্টোরেজ তাপমাত্রার ব্যাপ্তি
|
টিজে, টিএসটিজি
|
-65 থেকে +150
|
℃ | |||
ব্যক্তি যোগাযোগ: Ms. Selena Chai
টেল: +86-13961191626
ফ্যাক্স: 86-519-85109398
